中车时代电气拟投资4.62亿元 建设碳化硅芯片线项目

4月12日，中车时代电气发布公告，公司控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟投资4.62亿元，实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。

该项目主要内容为对时代半导体位于石峰区田心工业园区内的碳化硅芯片线厂房进行改造升级，包括改造既有设备，新增工艺设备及工艺辅助设备，信息化软件新增或实施服务，装修洁净室，配套进行厂务扩容，新增公用设备等。项目建设工期预计为24个月。

项目建成达产后，将把该公司现有的平面栅碳化硅MOSFET芯片技术能力提升到满足沟槽栅碳化硅MOSFET芯片研发能力，现有4英寸碳化硅芯片线将提升到6英寸碳化硅芯片线，产能也将从1万片/年的能力提升到2.5万片/年。

响应国家要求及公司整体发展战略，时代电气致力于打造先进的功率半导体器件自主核心技术，依托强大的应用及产业平台，强化“芯片-模块组件-装置-系统”完整产业链，形成器件技术推动装置进步、装置技术拉动器件技术的良性循环，其生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程关键器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车核心器件自主化问题。

公告显示，通过项目的实施，该公司可形成面向新能源汽车、轨道交通方向的碳化硅芯片量产生产线，并进一步研发高性能的新产品，可以进一步推进时代半导体工艺技术进步，提升产业化水平，不仅可以较好地满足下游新能源、光伏以及储能的爆发式需求，又可以提升国家第三代半导体关键芯片自主化，提升国际竞争力，对保障第三代半导体产业的可持续发展具有重要意义。

(记者/周蒿)